ASML攜手三星、臺積電 共創下一代AI晶片製造新紀元

ASML獲得三星和臺積電的承諾,將推動最新的高NA極紫外光(EUV)微影裝置,加速AI晶片技術發展。
荷蘭半導體裝置巨頭ASML近日宣佈,三星電子與臺灣積體電路製造公司(TSMC)將共同採用其最新的高NA極紫外光(EUV)微影裝置,此舉不僅強化了未來AI晶片的前景,也顯示出業界對於先進製程的迫切需求。根據計畫,三星預計在2028年開始使用這套系統生產記憶體,而臺積電則計劃從2030年起實施。
此外,ASML正在與這些企業合作,將目前使用的6英寸光掩膜轉換為12英寸,以提高生產效率並降低成本。ASML首席技術官Marco Pieters表示,這種更大的光掩膜有潛力使高NA機器的產能提升40%,這將是生產力的一大突破。
特別值得注意的是,臺積電作為ASML的重要客戶,約佔其收入的16%。該公司的CEO魏哲家指出,臺積電一直相信透過協作克服技術障礙,才能避免經濟障礙。他們計劃在2030年基於現有的6英寸光掩膜開始使用高NA系統,並希望到2031年建立一條生產12英寸光掩膜的測試線,最終在2033年正式投入量產。
隨著AI需求激增,ASML的技術革新可能成為半導體行業的關鍵驅動力,未來幾年內,這些合作將如何影響市場格局,值得持續關注。
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