記憶體報價迎AI結構性缺貨！明年首季傳大漲四成，供應鏈擴產受惠

AI基礎建設帶動記憶體結構性缺貨

全球記憶體市場受人工智慧(AI)基礎建設需求帶動，正經歷顯著的供需結構轉變。無論是儲存型快閃記憶體（NAND Flash）或動態隨機存取記憶體（DRAM），皆面臨長期的供應緊俏，促使原廠持續調漲報價。國際科技巨擘亦傳出接受大幅度的價格調升，為整體產業趨勢定錨。

NAND報價大漲四成，台廠庫存優勢浮現

在 NAND Flash 方面，原廠如三星持續調漲報價，市場傳出蘋果已接受明年首季高達三至四成的漲幅。在此供應吃緊的態勢下，群聯(8299)與威剛(3260)等台灣記憶體模組與控制晶片廠，憑藉既有的庫存成本優勢與貨源掌握度，得以延續營運動能。業界評估，AI龐大內容生成的儲存需求擴張速度，將遠超新廠產能開出的時程。

HBM排擠一般型DRAM供給，台系產能加速轉換

針對 DRAM 市場，國際大廠將產能與資源優先轉向高頻寬記憶體(HBM)，進一步排擠了一般型 DRAM 的供給。為因應市場缺口，南亞科(2408)正加速提高 DDR5 產品比重，並擴大新廠投資以導入先進製程；華邦電(2344)亦積極擴建高雄廠產能，因應客戶強勁且長期的供貨需求。

次世代3D DRAM研發起跑，大廠產能供給回穩

在次世代技術與供應鏈穩定度上，SK海力士規劃研發 3D DRAM，計劃將周邊電路分離並導入先進邏輯晶圓代工製程，市場關注台積電(2330)未來在相關領域的代工合作機會。此外，SK海力士近期勞資協議重新投票過關，化解了罷工疑慮，確保了全球 HBM 及 AI 伺服器用記憶體的出貨穩定，為整體記憶體市場提供客觀的產能支撐。