記憶體合約價最新預估最高季增20%,HBM產能排擠助攻南亞科等台廠

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記憶體合約價上漲與HBM產能排擠效應分析

記憶體合約價漲幅擴大與企業級SSD需求爆發

根據研調機構集邦科技(TrendForce)最新報告顯示,本季記憶體報價持續呈現上揚趨勢。在具體數據方面,DRAM合約價預估將季增10%至15%,而儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的漲勢更為顯著,預期將季增15%至20%。其中最受矚目的是企業級固態硬碟(SSD),受惠於強勁的市場需求,成為目前唯一漲幅加速擴大的記憶體品項,預估其全年位元需求將大幅增加超過八成,顯示伺服器端拉貨動能極為強勁。

國際大廠產能向HBM集中引發傳統DRAM排擠效應

在國際記憶體大廠動態方面,資源正高度向AI應用與先進製程集中。三星預估明年高頻寬記憶體(HBM)占全球DRAM晶圓產能比重,將從目前的20%大幅提升至逼近30%,此舉預期將產生明顯的產能排擠效應,使得傳統DRAM供應更為吃緊。同時,美光也釋出財報與資本支出展望,預期第四季營收達約500億美元、毛利率86%,並將2026財年資本支出大幅上修為270億美元,凸顯國際原廠全力衝刺AI相關記憶體產能的決心。

產能移轉助攻台灣記憶體廠接單與擴產計畫

國際大廠的產能移轉,直接帶動了台灣記憶體廠的接單量能。南亞科(2408)指出,目前公司產能已達滿載狀態,且長約涵蓋比例約達五成,為因應未來需求,其新廠第一階段規劃將於2028年達到月投片3萬片的規模。另一方面,華邦電(2344)則預期2027年市場供需將會更為緊繃,目前已正式啟動高雄廠擴建計畫,並預計於2029年底進入量產階段。整體而言,台廠現階段主要透過推進短約轉為長約的商業模式,以維持穩定且長期的營運動能。

終端消費性電子疲軟與通路商面臨挑戰

然而,對比上游製造端的熱絡,終端應用與通路端則呈現截然不同的分化市況。在PC及手機市場方面,目前正面臨終端需求偏弱以及零組件成本上漲的雙重壓力,部分手機業者甚至因為成本增加而被迫下修產量。在通路端方面,記憶體通路商巨虹(8084)因逾10.5億元現金增資案遭到撤銷,加上併購案面臨卡關,導致股價遭遇沉重賣壓。整體記憶體產業目前正處於AI伺服器需求強勁推升,與傳統消費性電子需求疲軟的相互拉扯之中,供應鏈各個環節展現出明顯分化的客觀市場現象。

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