先進製程設備戰開打！EUV單價破3.8億美元，台積電2030年導入佈局

全球先進製程迎來設備升級潮，微影技術成角力關鍵

近日全球半導體大廠在微影技術領域展開密集布局，成為推動次世代晶片發展的核心動能。台積電(2330)與艾司摩爾(ASML)最新共同宣布，將推動晶片製造轉移升級至12吋光罩，藉此全面發揮高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術的潛在價值。同時，英特爾與三星也緊跟產業趨勢，跟進宣布與艾司摩爾進行相關技術合作，期望藉由設備升級大幅提升半導體生產效率。

設備單價突破3.8億美元，晶圓代工三強佈局時程解析

在這波技術導入的競賽中，各家大廠的時程規劃成為市場焦點。業界最新數據指出，High NA EUV設備單價高達約3.8億至4.1億美元，龐大的資本支出顯示出先進製程的高門檻。在技術導入時程上，台積電規劃於2030年起，在先進製程量產中正式導入High NA EUV微影技術，並預計於2031年之前建立12吋光罩試產線，目標是2033年微影系統全面就緒。另一方面，英特爾則表示該技術已應用於其晶圓代工的量產製造流程中；而三星也積極規劃，計畫在2028年前首度將High NA EUV技術導入DRAM量產階段，顯示不僅邏輯晶片，記憶體領域也正加速邁向新製程。

大陸統籌半導體供應鏈，加速DUV設備國產化進程

除了最尖端的EUV技術之爭，成熟製程設備的自主化同樣是全球半導體版圖的重要變數。在面臨外部限制下，中國大陸在深紫外光（DUV）曝光機領域正持續推進國產化腳步。近期由華為在國產DUV設備發展中進行統籌，整合涵蓋投影鏡頭與高功率光源等關鍵零組件環節，並協助宇量昇與上海微電子裝備等在地業者，共同開發出28奈米DUV原型機。目前相關設備已進入當地的晶圓廠進行實際測試，這對於大陸國產半導體供應鏈的發展而言，無疑是具備高度戰略意義的重要進程。