記憶體擴產戰局加速!三星HBM設備提前進場,群聯搶搭商機營收占比上看45%

記憶體大廠擴建戰局加速升溫
大型法人機構指出,三星加速興建平澤第五園區(P5)首條量產生產線(Ph1),設備進場時程自原訂明年第三季大幅提前至第一季。此舉主要針對動態隨機存取記憶體(DRAM)與高頻寬記憶體(HBM)的產能擴充進行積極準備,引發市場對全球記憶體供給版圖變化的關注。
全球新廠量產時程與實質供給解析
針對整體記憶體供給時程,現階段具體的供給增量主要來自三星P4廠與SK海力士M15X廠。至於P5廠即使設備提前進駐,實際量產目標仍落在後年,顯示大型新廠的實質產能釋放需至中長期方能發酵。此外,市場也密切關注三星P5廠第二階段(Ph2)後續若導入V10 NAND製程,將帶動其實體晶圓產能進一步增加。
國際大廠擴產步伐與台灣供應鏈受惠契機
觀察同期明確的新增實體產能,包含鎧俠K2廠、Solidigm大連二廠及長江存儲皆有佈局,而美光與SK海力士的大型新廠則規劃於後年後陸續投產。在台灣供應鏈方面,群聯(8299)受惠於人工智慧帶動的強大儲存需求及企業級固態硬碟出貨暢旺,正逐步推動旗下高速傳輸與人工智慧資料平台方案。
AI儲存需求帶動台廠營運結構轉型
隨著全球資料中心與終端應用的蓬勃發展,相關台廠正積極轉型。法人數據顯示,群聯持續拓展AI系統模組領域,相關業務的營運效益逐步顯現,其營收占比預期將達45.9%,展現出人工智慧商機對記憶體周邊供應鏈的實質推動力。
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