韓半導體豪砸擴產，台廠升級製程迎戰

南韓政府宣布由三星電子與SK海力士領軍，投入約1,800兆韓元推進超級計畫，目標五年內將DRAM產能翻倍，並於光州等非首都圈建立新記憶體生產基地。此大規模投資將帶動先進製程設備的拉貨需求，使全球半導體設備市場面臨排擠效應。同時，因記憶體價格於近四年內大幅上漲，三星、SK海力士與美光近期在美國遭遇消費者提出的反壟斷訴訟。

面對南韓業者的擴產行動，台灣記憶體廠主要採取專注技術與製程升級的策略。南亞科(2408)今年規劃逾520億元資本支出，投入5A新廠擴建與10奈米級先進製程研發；華邦電(2344)新增73億元投入CUBE先進封裝技術，預計整體晶圓產能增加約20%；力積電(6770)投入約5.12億美元資本支出，切入HBM供應鏈與AI市場；旺宏(2337)亦計畫於2026年投入約220億元擴產，避開直接的產能規模戰。

在晶圓代工與市場籌碼動態方面，南韓擴大投資加劇了全球設備爭奪，三星亦試圖利用高頻寬記憶體(HBM)的市場地位牽制AI晶片代工訂單。對此，台積電(2330)已啟動全球擴廠計畫，維持其晶圓製造到封裝的供應鏈體系。另一方面，近期台股半導體板塊出現法人調節情形，力積電連續三個交易日遭外資賣超，單日減碼達2.6萬張；聯電(2303)亦遭投信單日賣出約2.6萬張，反映出市場資金在產業消息面下的動態調整。