AI記憶體大擴產啟動，2028年前價格真跌得下來嗎？

 

SK海力士擴產，鎖定AI記憶體的下一輪供給戰

SK Hynix(韓國SK海力士)宣布投入54兆韓圜，在Yongin與Cheongju新建兩座晶圓廠，主攻HBM、DRAM與NAND。這筆支出金額很大，時程也拉得很長，市場正在看的，是AI需求能否消化未來幾年的新增產能。

這次計畫分成兩個基地。Yongin的Y2廠將投入35.2兆韓圜，作為第二座DRAM生產據點，也納入既有的Yongin Semiconductor Cluster藍圖。Cheongju的M17廠則投入19.1兆韓圜，聚焦NAND，對應公司所說的需求快速竄升。

 

產能時間點落在2029年後，短期產出影響有限

從建廠節奏看，這波擴產屬於中長線布局。Yongin Y2預計今年7月動工，首座無塵室在2029年6月啟用，主打HBM與次世代DRAM。Cheongju M17預計今年2月破土，第一座無塵室在2028年12月開出，專攻NAND。

Counterpoint Research副總裁Neil Shah的判斷也指向同一件事：這兩座新廠短期內不會立刻改變SK Hynix的實際產出，功能在於替2029年以後預做準備。這代表公司押注的不是今年或明年的出貨，而是下一輪AI基礎建設需求。

SK Hynix也把這次投資放進去年公布的master plan裡。公司規畫在Yongin半導體聚落累計投入600兆韓圜，Cheongju再投入100兆韓圜。這種規模，已經不是單點擴線，而是整體產能結構的重配。

 

三大記憶體廠同步加碼，AI需求仍跑在供給前面

供給端的壓力不只來自SK Hynix。Counterpoint Research預估，到2028年之前，Samsung、SK Hynix、Micron與中國CXMT都會同步擴產，全球記憶體供給量會明顯增加。照一般產業邏輯，供給上升會壓價格，但這次的需求增速更快。

Shah的核心判斷很直接：AI伺服器、資料中心與各類AI加速器對HBM與高階DRAM的需求，成長速度會超過已規畫的產能，因此記憶體價格在2028年底前都不太可能明顯回落。這也是近期記憶體廠股價走強的底層背景。

三星在今年第二季重新拿回全球DRAM市佔第一，也讓競爭更激烈。這個變化會推升SK Hynix的資本支出壓力，雙方在高利潤的HBM與高階DRAM市場都在加速卡位。

 

HBM缺貨傳導到Nvidia與雲端巨頭的成本

記憶體供需的變化，最後會傳到AI晶片與雲端服務端。Nvidia(NVDA)的AI加速卡需要大量HBM，才能把效能完整拉出來。Microsoft(MSFT)、Amazon(Amazon.com Inc.)等雲端業者擴建資料中心，也需要穩定的DRAM與NAND供應。

如果產能放量跟不上，AI伺服器的交期、成本與售價都會被牽動。這不只影響單一硬體廠，也會反映到整體AI投資回報率。換句話說，記憶體已經從配角變成AI資本支出裡的關鍵變數。

 

供給增加有利穩定價格，NAND仍要看景氣循環

這波擴產也帶有產業結構上的兩面性。長期來看，供給增加有助緩解過去幾年記憶體價格劇烈波動的問題，雲端與AI業者在中長期投資上會更容易做規劃。

風險同樣存在。多家業者同時投入千億級資本支出，如果未來AI需求放緩，或技術路線改變，產能過剩與價格下滑仍可能發生。NAND這一塊尤其如此，SK Hynix提到需求快速竄升，歷史上也出現過景氣反轉後價格大跌的情況。

這篇訊息真正透露的重點，是記憶體產業正在從製程競賽走向產能與時點競賽。誰能在2028到2030年的AI建設高峰期準時供貨，誰就更有機會吃到這一輪紅利；若AI需求曲線後續走弱，這些超大型資本支出也會回頭考驗整個產業的報酬率。