【即時新聞】ASML新技術突破EUV光源功率至1000瓦有望大幅提升晶片產量

全球半導體設備龍頭艾司摩爾(ASML)的研究人員近日宣佈一項重大技術突破，成功將極紫外光(EUV)微影設備的光源功率大幅提升。這項新技術能將光源功率從目前的600瓦提高至1000瓦，預計在2030年之前，能讓先進晶片的產量增加高達50%。此舉旨在協助這家荷蘭巨頭在面對美國與中國新興競爭對手時，持續保有絕對的技術領先優勢。ASML(ASML)是目前全球唯一能生產商用EUV微影設備的製造商，這類設備對於台積電(TSM)、英特爾(INTC)等晶片製造商生產先進運算晶片至關重要。ASML(ASML)的EUV光源首席技術專家Michael Purvis強調，這並非曇花一現的實驗展示，而是在符合客戶所有生產要求的條件下，能夠穩定輸出1000瓦功率的系統。

光源功率增強助攻每小時晶圓處理量上看330片

隨著EUV光源功率的提升，晶片製造的效率將顯著改善。ASML(ASML)負責NXE系列EUV設備的執行副總裁Teun van Gogh指出，更高的功率意味著更短的曝光時間，這將直接轉化為每小時能生產更多晶片，進而降低每顆晶片的生產成本。根據規劃，到2030年，每台EUV設備每小時處理的矽晶圓數量，將從目前的220片提升至約330片。根據晶片尺寸的不同，每片晶圓可容納數十到數千個晶片，這意味著產能將獲得實質性的飛躍，確保客戶能以更低的成本持續使用EUV技術。

獨家雙重雷射脈衝技術精準控制錫滴激發電漿態

這項技術突破的核心在於對物理極限的挑戰。為了產生波長13.5奈米的極紫外光，ASML(ASML)的機器需要將錫滴流射入真空腔體，並利用高功率二氧化碳雷射將其加熱至電漿態（Plasma），使其溫度超越太陽表面進而發出EUV光。此次公佈的關鍵進展在於將每秒錫滴的數量增加一倍至約10萬顆，並使用兩道較小的雷射脈衝來精準塑造錫滴形狀，而非現行機器的單次脈衝。科羅拉多州立大學教授Jorge J. Rocca表示，能達到1000瓦的功率成就是相當驚人的。ASML(ASML)更認為，這項技術未來有明確路徑可推進至1500瓦，甚至上看2000瓦。

面對美中晶片戰與新創挑戰持續鞏固市場護城河

EUV設備在晶片生產中的關鍵地位，使其成為地緣政治的焦點。美國政府與荷蘭合作，限制先進設備出口至中國，這促使中國展開國家級計畫以自行研發設備。同時，美國本土也有Substrate和xLight等新創公司募資數億美元，試圖開發能與ASML(ASML)抗衡的技術，其中xLight更獲得了川普政府的資助。ASML(ASML)此次選在加州聖地牙哥設施揭露這項新技術，旨在展示其在最困難的技術環節上已大幅領先潛在競爭對手。透過提高產量與降低成本，ASML(ASML)正積極鞏固其在先進製程設備領域的霸主地位。

關於ASML與個股行情

ASML(ASML)成立於1984年，總部位於荷蘭，是用於半導體製造的光刻系統市場份額的領導者。光刻是使用光源將電路圖案從光掩模曝光到半導體晶片上的過程，是製造尖端晶片成本的重要部分。ASML(ASML)的產品被各大半導體製造商廣泛採用，包括英特爾(INTC)、三星和台積電(TSM)，是推動5奈米及更先進製程節點的關鍵推手。

**ASML(ASML) 昨日美股收盤表現：**

* 收盤價：1469.5900

* 漲跌：+10.65 (註：根據漲跌幅回推約略值，實際依系統為準)

* 漲幅(%)：0.73%

* 成交量：1,102,465

* 成交量變動(%)：-2.89%