記憶體廠一路擴產到2028年，價格能否撐到新產能開出？

 

54兆韓圜擴產，產能開出集中在2028年後

SK Hynix宣布投入約54兆韓圜，在南韓Yongin與Cheongju興建兩座晶圓廠。投資方向涵蓋高頻寬記憶體(HBM)、DRAM與NAND，直接對應AI伺服器與資料中心的記憶體需求。

Yongin Y2廠預計投入35.2兆韓圜，2027年7月動工，首座無塵室規劃於2029年6月啟用，主要生產HBM與次世代DRAM。Cheongju M17廠投入19.1兆韓圜，預計2027年2月動工，第一座無塵室將在2028年12月投入使用，產品以NAND為主。

這組時程說明，新增產能主要服務2029年後需求。短期HBM供應與記憶體價格，仍取決於既有產線擴充、良率提升，以及先進封裝能否同步跟上。

兩座新廠也是SK Hynix長期投資計畫的一部分。公司規劃在Yongin半導體聚落累計投入600兆韓圜，Cheongju擴產規模另達100兆韓圜。如此龐大的資本支出(capex，廠房與設備投資)，反映記憶體競爭已延伸至產能開出時點。

 

HBM供給能力牽動AI加速器交付

HBM是將多層DRAM堆疊起來的高頻寬記憶體，可提高GPU與AI加速器的資料傳輸效率。Nvidia(NVDA)的AI加速卡需要大量HBM，記憶體供應量會直接影響整機出貨、交期與成本。

Microsoft(MSFT)、Amazon(AMZN)等雲端業者持續升級資料中心，也需要穩定的DRAM與NAND貨源。DRAM負責運算期間的高速資料存取，NAND則承擔大量資料儲存。三類產品在AI基礎建設中扮演不同角色，供應限制也會出現在不同環節。

若HBM無法配合GPU放量，AI伺服器交付速度可能受到壓縮。DRAM與NAND價格維持高檔，也會提高雲端業者的建置成本，進一步影響AI服務的投資回報率。記憶體已成為AI資本支出的成本變數，供應鏈影響範圍也從晶片廠延伸至雲端平台。

SK Hynix強調，客戶需要的時間與供應數量已成為競爭力。這項表態符合大型雲端客戶的採購特性：資料中心建設需要GPU、網路、電力、散熱與記憶體同步到位，任何單一零組件延遲，都可能拖慢整套系統部署。

 

三星重返DRAM市佔第一，記憶體廠同步加碼

Counterpoint Research估計，三星在今年第二季重新取得全球DRAM市佔第一。市佔變化增加SK Hynix擴充產能的壓力，也讓Yongin與Cheongju投資帶有明確的競爭意義。

Samsung、SK Hynix、Micron(MU)與中國廠商CXMT，預計一路擴產至2028年。全球記憶體供給將明顯增加，但Counterpoint Research判斷，AI伺服器、資料中心與AI加速器帶來的需求增速，仍可能超過已規劃產能。

在這項預估下，記憶體價格到2028年底前難見明顯回落。供給成長與價格走勢之間仍有時間差，原因在於新廠需要多年建設，設備進駐後還要經過驗證與良率爬升。SK Hynix兩座新廠的量產時間，也支持短期供給難以快速增加的判斷。

市場份額仍可能隨技術認證、良率與客戶組合變化。HBM產品需要配合AI晶片平台進行驗證，產能數字無法完整代表可交付數量。未來競爭將同時落在製程、封裝、良率、客戶認證與量產節奏。

 

HBM與NAND面對不同的景氣風險

HBM受AI加速器需求推動，短期供應仍偏緊。NAND的供需循環更容易受到消費電子、企業儲存與資料中心採購節奏影響，歷史上也曾多次出現擴產後價格快速下跌。

多家廠商同步投入巨額資本支出，可以降低長期缺貨與價格劇烈波動，讓雲端業者更容易規劃建置成本。相同的擴產規模也會放大需求降溫的衝擊。若AI需求增速下滑，或記憶體技術路線改變，新增產能可能轉成庫存與價格壓力。

因此，SK Hynix的投資需要分產品觀察。HBM與高階DRAM可追蹤AI加速器出貨、客戶認證與產能利用率；NAND則要搭配資料中心儲存需求、庫存與價格變化。54兆韓圜投資押注的是2028至2030年需求曲線，短期營運影響相對有限。

到2028年後，Yongin Y2與Cheongju M17才會逐步改變全球供應版圖。屆時若AI基礎建設支出延續，新增產能有機會被需求吸收；若需求、良率與客戶訂單同步轉弱，記憶體循環的供給壓力便會升高。這場產能競賽能否維持回報，最終仍要由AI伺服器出貨與雲端資本支出兌現速度決定。