最新EUV材料分析突破！類FAB驗證上路，汎銓攜國研院搶全球5大廠商機

EUV製程分析技術迎突破，產線驗證一條龍服務成型

先進製程材料分析迎來最新進展，汎銓(6830)宣布與國家實驗研究院國家儀器科技研究中心合作，共同發表新一代極紫外光（EUV）製程後結構分析技術成果。雙方整合原子層沉積（ALD）、類晶圓廠產線驗證與材料分析技術，將既有服務延伸至製程模擬與生產驗證，正式跨入量產前製程驗證領域，建立生產與驗證分析的一條龍服務模式。

克服先進光阻材料分析瓶頸，獲全球微影設備大廠引用

國研院儀科中心投入原子層沉積技術研發逾二十年，成功整合建立不破真空的叢集式製程與量測平台。此項合作突破了先進光阻材料低溫保護及高精度分析的瓶頸，可在攝氏一百度以下的環境中形成兼具硬度與均勻性的保護薄膜。此低溫覆蓋分析技術能有效避免光阻在分析過程中受熱損傷，相關技術成果亦獲得全球微影設備大廠於國際學術論壇中引用，彰顯其技術指標意義。

縮短晶圓廠試產時間成本，全球前五大供應商已導入

隨著半導體製程持續微縮，新材料與先進封裝技術加速導入，研發端對速度與精準度的需求大幅提升。透過類晶圓廠（類FAB）產線驗證技術，客戶得以在接近實際產線的條件下先行模擬關鍵製程，並結合高階穿透式電子顯微鏡等設備觀察材料反應。這項服務能協助國際材料商在進入正式晶圓廠試產前取得驗證數據，有效降低反覆調整的時間與成本。目前全球前五大的重要國際材料及設備供應商已納入此服務的適用範圍，並有實際使用案例。

佈局高數值孔徑EUV研發，深化先進製程客戶合作

展望未來發展，汎銓將持續運用國研院先進半導體材料分析技術研發平台的資源，擴充高低溫原子層沉積技術的應用場景。面對半導體產業的快速推進，後續將進一步深化與先進製程客戶的合作，因應高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）及三維（3D）結構分析等前期研發驗證的龐大市場需求。