記憶體迎結構缺貨，HBM底層仰賴台灣

鈺創(5351)董事長盧超群指出，受AI與邊緣運算需求影響，記憶體市場出現結構性改變。目前DRAM價格每月漲幅約10%至20%，逐步回歸合理區間，預估此波缺貨情況將持續，價格漲勢可能在2026年第三季達到飽和，供需吃緊狀態最快於明年中後緩解。

在產業規模方面，今年全球半導體產值預估達1.3兆至1.4兆美元，其中DRAM產值上修至5600億美元，NAND Flash達2800億美元，記憶體合計佔全球半導體總產值近半。此外，HBM（高頻寬記憶體）在AI相關記憶體應用的產值占比，預計將從目前的10%提升至50%。在訂單能見度上，鈺創目前的訂單已排程至今年底，部分甚至達2027年上半年。

技術層面上，DRAM與邏輯晶片的界線正逐漸模糊。新世代HBM產品將邏輯電路整合於底層（Base die），需導入4奈米及5奈米等先進邏輯製程。由於部分國際記憶體大廠缺乏邏輯晶片的設計與代工產能，目前如美光與SK海力士等業者的Base die，高度仰賴台灣晶圓代工廠，特別是台積電(2330)的先進製程產出，顯示台灣在全球HBM技術架構中具備關鍵的供應地位。