先進製程微影技術迎大升級！EUV升級12吋光罩，台積電拚2031年建試產線

半導體設備迎來變革，12吋光罩技術成新顯學

艾司摩爾(ASML)與台積電(2330)於BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，共同推動將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術由現行的6吋光罩升級至更大的12吋光罩。根據雙方公布的合作計畫藍圖，目標將於2031年之前建立12吋光罩的試產線，並進一步於2033年前實現微影系統全面就緒，以全力支援未來先進製程的龐大量產需求。

突破拼接限制，大幅優化先進晶片製造成本效益

這次的技術轉移對半導體製造供應鏈具有深遠意義。在技術層面上，升級至12吋光罩預期能顯著提升晶圓廠的整體生產力，並有效降低晶片製造成本。更重要的是，這項升級將能消除以往使用兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時所面臨的拼接限制，藉此大幅提升新世代先進晶片在製造過程中的成本效益，為未來的摩爾定律延續提供強大動能。

AI驅動電晶體架構複雜化，生態系夥伴加速集結

隨著AI應用蓬勃發展，帶動電晶體架構日益複雜，台積電預估未來需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加，並預計自2030年起，於先進製程量產中逐步導入ASML的High NA技術。目前這項技術升級計畫已獲得眾多半導體製造廠、光罩供應商及關鍵生態系統夥伴的參與意願與廣泛支持。透過整體供應鏈的專業資源匯聚，產業期許能進一步降低技術門檻，以滿足終端市場對更小、更快、更節能晶片的長期強勁需求。