半導體產業：台積電涉侵權，聯電與漢磊攻新技術

台灣半導體產業近期在先進製程、化合物半導體及封裝檢測等領域持續發展，同時也面臨國際專利訴訟的考驗。台積電(2330)近期捲入美國專利侵權訴訟，遭指控其先進製程生產的晶片侵犯AI加速器關鍵技術專利，全案目前正由美國國際貿易委員會（ITC）審理中，經濟部表示將持續關注並於必要時提供適切協助。另一方面，晶圓代工廠聯電(2303)在特殊製程轉型上取得進展，其嵌入式深溝槽電容（DTC）技術已切入高通先進封裝供應鏈並量產出貨；與英特爾合作的12奈米FinFET製程平台亦於美國進行驗證。籌碼面上，聯電(2303)近期獲得外資連續買超。在化合物半導體領域，漢磊(3707)的8吋碳化矽（SiC）新產線試產順利，預定下半年邁入商業化量產。此外，晶片檢測廠汎銓(6830)積極布局矽光子與共同封裝光學（CPO）市場，自主研發的光損偵測定位設備預計於年底前啟動銷售；設備商凌嘉科則憑藉面板級封裝用濺鍍與電漿蝕刻設備穩定出貨，展現台灣半導體供應鏈在多元技術上的推進。