美股記憶體族群領漲，東大新技術快千倍

美股記憶體概念股近期表現強勢，相關族群股價呈現上揚。根據市場數據，SanDisk盤中股價最高上漲逾7%，美光漲幅達1.6%至3%不等，希捷科技亦上漲超過5%。光通訊族群同步走高，包括Coherent、Lumentum與祥茂光電皆有顯著漲勢。指標個股中，輝達單日下跌約1.8%，而台積電(2330)ADR則微幅上漲0.39%至1%。同時，受國際地緣政治局勢影響，布蘭特原油與西德州原油漲幅皆逾1.6%。

在產業技術方面，日本東京大學研究團隊展示了一項新型記憶體技術。該技術採用反鐵磁材料錳錫製成非揮發性磁切換元件，透過自旋軌道轉矩傳遞角動量進行磁結構切換。實驗數據顯示，其狀態翻轉時間縮短至40皮秒內，較現行DRAM的奈秒級切換速度快約1,000倍，且過程中溫度僅上升約8K，有助於大幅降低高速運作時的發熱問題。該研究也展示了利用光電流脈衝直接驅動磁狀態切換的可能，目前該技術仍處於微型結構的實驗室階段，尚未進入商業量產。