英特爾先進封裝成本減半，聯電與力積電進補

英特爾（Intel）近期在先進封裝與製造領域展現具體進展，其EMIB-T先進封裝技術良率據傳已突破九成，預計明年進入量產。該技術透過嵌入小型矽橋取代傳統大面積矽中介層，並加入矽穿孔（TSV）技術強化垂直供電，其成本約僅需台積電(2330)CoWoS方案的一半。目前已確認取得聯發科(2454)ASIC專案訂單，博通與Meta亦在評估階段。

在供應鏈方面，台灣廠商扮演關鍵角色。力積電(6770)以12吋IPD平台獨家供應英特爾EMIB-T所需的矽電容，取代傳統積層陶瓷電容（MLCC）直接整合於封裝內，目前現有產能滿載並積極擴產。聯電(2303)則以成熟的12吋製程技術，負責代工EMIB基板內的關鍵元件「矽橋」，藉由台灣與新加坡廠區穩定供貨，緩解先進封裝產能吃緊的現況。

除了封裝技術，英特爾也加速美國本土製造布局。在獲得美國晶片法案78.65億美元資金補助下，其俄亥俄州新建晶圓廠正全力趕工。依照時程規畫，Mod 1預計於2030年完工並陸續投產，Mod 2則鎖定2031年完工，整體產能擴張與先進封裝技術的推進，正重塑全球半導體代工與封裝市場的供應鏈結構。