英特爾傳攜手聯電開發3奈米，直逼台積電

據外媒與FundaAI報告指出，晶圓代工大廠聯電(2303)據傳將與英特爾（Intel）展開3奈米先進製程的技術合作，挑戰台積電(2330)在半導體市場的領先地位。

報告指出，雙方早前已在英特爾位於美國亞利桑那州的工廠（Fab 52）共同開發12奈米FinFET製程平台，目前進入驗證階段，預計於2027年投入量產，主要應用於物聯網（IoT）與WiFi等領域。此次3奈米合作預期將複製12奈米的架構模式。

在此合作模式下，英特爾將提供先進工廠設備與產能，聯電則挹注其豐富的代工研發與客製化經驗。此舉不僅讓聯電免除大規模擴建晶圓廠的資本支出，直接跨入先進製程領域；英特爾亦能藉由聯電的客戶基礎與純代工服務經驗，強化自身晶圓代工業務的競爭力，進而向外部客戶提供3奈米代工服務。

此外，為強化晶片代工業務，英特爾近期任命SK海力士前執行長李錫熙出任晶片代工部門執行副總裁，負責先進封裝、系統整合及後端製造等技術開發，顯示出擴大全球晶圓代工市佔率的明確佈局。