記憶體股同步走弱,長鑫存儲2026年量產能否再擴大壓力?

思齊波段操盤手


 

長鑫存儲上市後,全球記憶體股先反映競爭壓力

中國記憶體晶片製造商長鑫存儲在週末宣布,開發更高效的新架構設計取得進展,市場立刻把它解讀成供給競爭加劇。美光(MU)盤前跌3.7%,SK海力士重挫10%,三星電子下跌7.4%,SanDisk、Seagate(STX)與Western Digital(WDC)也同步走弱。這種反應顯示,投資人先交易的是中國DRAM供給擴張,而不是單一公司的短線消息。

長鑫存儲今年7月透過IPO進入國際市場,首日股價大漲近466%,市值一度逼近科技巨頭等級。以目前水準看,股價較IPO當日49元人民幣回落約4%,市值仍有3.46兆人民幣,約5200億美元,和騰訊的3.87兆人民幣差距不大。這組數字說明兩件事:市場已把它視為重要玩家,估值與市值也開始對應到它在記憶體產業的潛在份量。

 

先進製程受限,HBM差距仍是核心難題

長鑫存儲上市後最重要的變數,放在它能否縮小與美光、三星、SK海力士在高頻寬記憶體(HBM)上的差距。HBM是AI晶片系統的關鍵零組件,技術門檻高,對製程、堆疊與良率要求都很嚴格。公司雖然有中國內需支撐,但美國出口管制讓它拿不到ASML(ASML)極紫外光(EUV)曝光機等先進設備,這會直接限制先進半導體的製造路徑。

也因此,市場對它任何技術突破都會放大反應。分析師普遍仍認為長鑫存儲落後國際對手,這次消息引發全球記憶體股下跌,反映的就是投資人重新評估未來競爭格局。若新架構真的推進量產,壓力會先出現在標準型DRAM與伺服器記憶體,後續再看它是否能往HBM等高階品項延伸。

 

2026年新架構產品與全球市佔率變化

據報導,長鑫存儲計畫在2026年底前推出基於全新「4F square」技術的伺服器記憶體產品,目標是提高存儲密度。這種方向和SK海力士的技術藍圖相近,代表它追趕國際大廠的路線已經更清楚。就產業比較來看,真正需要觀察的,是技術宣示能否轉成量產能力,以及量產後的成本、良率和客戶接受度。

匯豐銀行週四的報告指出,長鑫存儲在全球DRAM市場的市佔率,已從一年前約4%升到10%左右。這個變化很關鍵,因為它不只代表中國本土需求消化能力,也代表長鑫存儲開始具備更明確的全球存在感。花旗在8月的報告進一步提到,美國政府大概率不會允許中國製記憶體銷往美國,但歐洲等地資料中心採購仍可能對美光形成間接壓力。

 

蘋果測試長鑫存儲,商業化路線開始外溢

另一個值得注意的觀察點,來自蘋果(AAPL)。金融時報在7月引述知情人士報導,蘋果已開始在中國銷售的設備中測試長鑫存儲的DRAM晶片,並持續遊說美國政府,爭取擴大採用範圍。這條線索的意義在於,長鑫存儲的產品討論已經從中國內需,延伸到跨國品牌與終端應用場景。

目前可確認的範圍是,長鑫存儲的市佔率確實上升,技術路線也更清楚,市場對它的估值與股價反應都很敏感。接下來真正要看的,是2026年新產品能否按時落地,以及出口管制下的設備取得、量產良率與海外客戶採用,能不能一起推動它從區域性供應商,往全球記憶體競爭者的角色再往前一步。