【即時新聞】輝達(NVDA)黃仁勳反駁記憶體過剩論！HBM需求旺，美光(MU)等大廠迎轉機

輝達(NVDA)執行長黃仁勳週四接受訪問時表示，儘管近期市場對於記憶體供應過剩與需求疲軟感到擔憂，導致相關類股在過去一週遭遇拋售，但他認為到 2029 年記憶體市場不太可能出現供應過剩的情況。黃仁勳在柏林 GTC 大會場邊受訪時強調，記憶體的一大優點就是永遠不會嫌多，投資人對於市場前景無須過度悲觀。

HBM需求持續看旺，高能源效率成資料中心關鍵

黃仁勳指出，高頻寬記憶體(HBM)在未來幾年仍將被廣泛應用。他提到，輝達(NVDA)是全球首家將應用於手機的 LPDDR 記憶體引入資料中心的公司，這項創舉讓能源效率提升了兩倍。為了維持高效能運算，輝達未來將繼續大量採用這類高階記憶體產品，顯示 AI 熱潮下的基礎硬體需求依然強勁。

南韓專家示警AI減速，記憶體大廠面臨紅海危機疑慮

近期記憶體類股表現疲軟，主要受到南韓知名媒體日前發表的一篇評論影響。該文引述專家看法，警告南韓政府應防範 AI 熱潮可能出現減速。專家預測，到 2029 年市場將湧現大量新供應，超級週期可能就此結束，並讓記憶體市場陷入競爭激烈的紅海。由於記憶體是 AI 晶片的核心元件，供應過剩恐將壓低價格，進而影響 SK海力士、三星以及美光(MU)等大廠的獲利空間。

中國記憶體產能崛起，黃仁勳對供應鏈合作持開放態度

特斯拉(TSLA)執行長馬斯克曾對此發表評論，認為中國在 2028 年將製造大量的 RAM。同時，中國長鑫存儲近期宣布新的設計架構，有望提升效率，這加深了投資人對其搶占 SK海力士、三星和美光(MU)市佔率的擔憂。面對是否會與長鑫存儲合作的問題，黃仁勳表示持開放態度，強調全球供應鏈都在某個環節與中國企業合作，並稱許中國在基礎設施與製造能力上的卓越表現。

美國晶片禁令發酵，意外加速中國半導體自主化進程

針對地緣政治的影響，黃仁勳認為美國不斷升級的監管措施，實際上推動了中國加快自有晶片技術與製造的發展。目前美國限制高階半導體出口至中國，但部分中國企業仍透過東南亞的資料中心取得算力，這成為中國 AI 模型能力提升的關鍵。黃仁勳直言，美國的禁令確實加速了中國半導體製造的國產化與產業支持力度，但他同時強調，美國科技公司依然強大，已經準備好迎接來自全球任何對手的挑戰。