華邦電受惠於特殊型DRAM和NOR快閃記憶體價格上漲，目標價維持30元

摩根士丹利（大摩）近日發布的報告指出，華邦電（2344）在特殊型DRAM和NOR快閃記憶體市場中表現出色，因此被列為「首選」。報告中提到，DDR4 20奈米製程在第二季的營收貢獻持續上升，預計從第三季開始，DDR3和DDR4的價格將開始上漲，並可能延續至2026年。此外，華邦電的16奈米CMS製程將在今年進入條件量產，並預計在2026年開始出貨。

華邦電記憶體產能利用率提升至90%

根據大摩的分析，華邦電的記憶體產能利用率預計在2025年第二季提升至約90%。此外，華邦電的45奈米NOR快閃記憶體營收貢獻持續增長，SLC NAND則預計在2025年下半年持續漲價。大摩強調，華邦電的24奈米SLC NAND製程已開始初期出貨，並將在2026年開始貢獻營收，主要需求來自車用、穿戴式裝置與伺服器等應用。

市場對華邦電未來展望樂觀

大摩報告中指出，華邦電正在進行Flash產能擴張與CMS製程升級，高雄廠的月產能目前為15,000片晶圓。預期今年全球記憶體資本支出約48億元，其中70%為前段製程設備資本支出。這些發展顯示華邦電在技術和產能上的持續投入，將為其未來的成長提供有力支撐。

華邦電未來關鍵時點需關注

未來，投資者需密切關注華邦電在2026年開始的16奈米CMS製程出貨情況，以及2025年第二季記憶體產能利用率的提升。此外，SLC NAND和DDR4價格走勢，以及NOR快閃記憶體的市場需求變化，也將是影響華邦電業績的重要因素。