先進封裝迎最新變革！輝達OOI技術引爆矽中介層需求，聯電產能翻倍

輝達推動光學整合技術突破AI晶片傳輸瓶頸

輝達近期宣布開發最新「中介層上整合光學」（OOI）技術，將光學引擎從傳統有機封裝基板移至運算晶片所在的中介層。此項先進封裝技術的變革，主要透過短距離、細間距的布線設計，可有效提升資料傳輸效率並大幅降低功耗，進而突破 AI 晶片對外傳輸的物理瓶頸。這項發展使中介層的用量與重要性大幅增加，正式躍升為 AI 產業鏈中不可或缺的關鍵戰略物資。

晶圓代工廠積極擴充產能搶攻矽中介層商機

因應矽中介層市場需求快速攀升，台灣晶圓代工廠紛紛啟動實質的產能擴充計畫。其中，聯電(2303)積極擴充產能，預計將中介層月產能從三千片倍增至六千片。在技術布局方面，聯電導入深溝槽電容的 2.5D 封裝方案已經順利出貨給主要客戶，並升級 55 奈米 BCD 平台以支援最高 150 伏特的工作電壓。此外，聯電於七月成功交付首批十二吋量產光子晶片，並與愛普(6531)合作完成矽電容的設計定案，持續擴展光電整合及異質封裝服務。面對龐大的市場需求，台積電(2330)日前亦與格羅方德簽訂高達二十億美元的製造協議，以確保 CoWoS 先進封裝所需的矽中介層能夠維持穩定供應。

記憶體整合與後段製造技術成封裝未來亮點

除了擴張產能，先進封裝與記憶體的整合技術也成為次產業發展的焦點。力積電(6770)明確將矽中介層列為核心戰略重點，規劃透過 P3 廠等既有資源擴大布局，並結合深溝槽製程發展高密度矽電容。在晶圓堆疊技術方面，力積電推動將 3D AI DRAM 與邏輯晶片進行異質整合，同時與美光於新竹廠區展開高頻寬記憶體(HBM)後段製造及製程合作，藉此協助客戶切入 8Gb DDR4 產品線，進一步提升整體晶圓製造產值。整體而言，台灣供應鏈正透過多元的技術整合與產能布局，積極迎接由先進封裝技術演進所帶來的全新市場機會。