High NA EUV量產時程分岔，台積電與Intel、三星誰先受惠？

 

High NA EUV 進入量產前段，三強時程開始分岔

台積電(2330)與ASML共同把晶片製造往12吋光罩推進，目標是把High NA EUV的解析度與製程潛力完整拉開。這一步把先進製程的競賽，直接推到設備、光罩與量產時程的交會點。

業界估計，單台High NA EUV設備要價約3.8億至4.1億美元，資本支出門檻明顯提高。這種等級的設備採購，通常會先反映在研發線與試產線，之後才逐步走向大規模導入。

台積電規劃在2030年起於先進製程量產中導入High NA EUV，並預計在2031年前建立12吋光罩試產線，2033年讓微影系統全面就緒。這代表它採取的是較長的導入節奏，先把製程與良率條件磨穩，再往量產擴散。

 

台積電、Intel、三星的導入節奏各自不同

Intel表示，High NA EUV已經應用在晶圓代工的量產流程中，時程明顯走在前面。三星則規劃在2028年前，先把High NA EUV導入DRAM量產，這也說明高階微影設備的使用範圍，正在從邏輯晶片延伸到記憶體。

三家公司的差異，反映的不是單一技術名稱，而是各自對製程風險、產能配置與產品組合的取捨。台積電重視量產穩定度，Intel偏向搶先卡位，三星則把High NA EUV視為記憶體製程升級的一環。

這種時程分岔，對ASML的意義很直接。High NA EUV設備不是一次性話題，它會隨著不同客戶的導入節奏，拉長接單與驗證周期，也讓後續供應鏈的關鍵零組件需求更具層次。

 

中國大陸推動DUV國產化，成熟製程設備也在重組

除了最尖端的EUV設備，DUV曝光機的自主化同樣在改寫供應鏈結構。近期由華為統籌中國大陸國產DUV設備發展，整合投影鏡頭、高功率光源等關鍵零組件，並協助宇量昇、上海微電子裝備等業者開發28奈米DUV原型機。

目前，這些設備已進入當地晶圓廠進行實測。就產業意義來看，這代表成熟製程設備的在地替代，已經從概念走到場域驗證階段。

對中國大陸半導體供應鏈來說，這一步的價值在於拉長自主化的可操作範圍，也讓外部限制下的設備配置，多了一條可以持續推進的路徑。對全球設備市場而言，High NA EUV往上升級，DUV往在地化推進，兩條線同時展開，供應鏈的分工與競爭邏輯都在改變。