DRAM ETF暴漲！美光財報佳與SK海力士上市計畫推動AI記憶體交易

隨著美光科技發布超預期的季度業績和SK海力士宣佈在美國上市計劃，DRAM ETF大幅上漲，顯示出AI驅動的記憶體市場持續蓬勃發展。

隨著人工智慧(AI)需求激增，Roundhill Memory ETF(DRAM)再次成為焦點。近期，美光科技（Micron Technology, MU）公佈了超過市場預期的季度業績，而SK海力士（SK Hynix, SKHY）則宣佈將於美國進行ADR上市，這些訊息促使該ETF在週四盤前交易中飆升12.6%。自2026年4月2日推出以來，DRAM已累積上漲151.9%，主要得益於對高帶寬記憶體(HBM)晶片的強勁需求，這些晶片廣泛應用於AI伺服器和資料中心。

美光的季報重申了市場對AI相關記憶體需求的樂觀預期，尤其是其HBM產品的未來展望。另一方面，SK海力士計劃透過美國ADR上市籌集多達294億美元，並表示將利用這筆資金擴大生產能力，以滿足不斷增長的AI記憶體需求。這兩項發展突顯了記憶體晶片製造商在AI供應鏈中的主導地位。

值得注意的是，三星電子、SK海力士和美光三家公司共同佔據了DRAM投資組合約75%的比例，使該基金對全球領先記憶體製造商的動向極為敏感。此外，該ETF還涵蓋了其他記憶體和儲存公司，如Kioxia Holdings、Sandisk、Western Digital及Seagate Technology，提供更廣泛的全球記憶體生態系統曝光。

對於尋求更廣泛半導體投資機會的投資者，VanEck Semiconductor ETF、Invesco PHLX Semiconductor ETF和SPDR S&P Semiconductor ETF等選擇也值得考慮。

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