先進製程領跑！輝達 HBM 基礎晶粒採 3 奈米，台積電技術與擴產大幅超前

輝達 HBM 基礎晶粒採 3 奈米製程，高良率成關鍵

半導體先進製程領域持續推進，台、美兩地的產能擴充與技術藍圖進度皆優於市場預期。近期供應鏈傳出，台積電(2330)將協助輝達與三星電子生產新一代高頻寬記憶體的基礎晶粒。根據業界資訊指出，輝達客製化高頻寬記憶體的底層晶粒已明確指定採用 3 奈米製程，此決策主要是基於該製程擁有超過 90% 的高良率表現，能有效滿足高階運算晶片的嚴苛要求。

客製化記憶體設計升級，供應鏈跨界合作深化

在記憶體產品設計的演進上，輝達的客製化記憶體基礎晶粒進行了大幅度的架構調整，將原先配置於繪圖處理器的記憶體控制器進行轉移，並縮減與外部晶片交換電子訊號的實體層面積高達六成。為了滿足空間配置與高效能運算的雙重設計需求，輝達、三星電子與晶圓代工廠共同參與了基礎晶粒的研發與設計，並最終交由台積電承接 3 奈米製程的實體生產任務，展現了供應鏈在 AI 晶片開發上的緊密合作。

埃米級技術藍圖明確，次世代製程產能準備啟動

在先進製程的技術規劃方面，晶圓代工龍頭的埃米級初代製程技術 A16 預計將於 2026 年下半年生產就緒。後續更為先進的 A14 製程技術目前已開始準備產能，預計於 2027 年進行風險試產，並於 2028 年正式進入量產階段；而 A13 與 A12 製程則規劃於 2029 年開始量產。整體量產技術藍圖目標十分明確，為未來的 AI 及高效能運算晶片提供了穩固的發展基礎。

美國廠擴建時程提前，未來產能貢獻值得關注

除了技術研發，海外擴產的步伐同樣顯著，特別是美國亞利桑那州廠區的進展。首座晶圓廠已提早於 2024 年第四季以 4 奈米製程進行量產；第二座晶圓廠則預計於 2027 年第三季量產。此外，第三座新廠已於今年五月順利上梁，計畫未來將導入 2 奈米與 A16 製程技術，預估最快可於 2028 年投入產能貢獻，整體時程較原先設定的 2030 年目標大幅提前，後續產能開出對全球半導體供應鏈的影響將是市場關注焦點。